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国家存储器基地项目芯片生产机台在武汉东湖高新区安装
国家存储器基地项目芯片生产机台在武汉东湖高新区安装

  近日,国家存储器基地项目芯片生产机台进入武汉东湖高新区进行安装。 

  2016年7月,国家存储器基地项目花落武汉。去年9月,该项目提前封顶。此次芯片生产机台进场安装后,年内有望产出我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片。 

  武汉市市长万勇表示,国家存储器基地项目芯片生产机台的搬入,是“中国芯”的一大步,也是“新武汉造”的一大步。建设国家存储器基地的过程,是武汉勇担国家使命、推进制造强国的过程,武汉一直在为圆国家存储器基地的美梦而不懈努力。他期待,今年10月该设备能点亮投产,明年底64层闪存产品产能爬坡量产,期待“中国芯”在全球市场反应良好,期待基地第二、第三工厂尽早开工建设。以此改写中国“缺芯少屏”的历史,让“中国芯、武汉造”成为现实。 

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